很多人對直流電子負(fù)載的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)并不了解，他們對其的電子負(fù)載所需的東西也存在盲區(qū)。下面讓源儀電子給大家介紹直流電子負(fù)載的結(jié)構(gòu)。
    一般來說，對功率變換電路進(jìn)行測試，需要建立一個(gè)負(fù)載電路，安全的消耗功率轉(zhuǎn)換器的最大功率。有兩種方法可以實(shí)現(xiàn)功率消耗，一種過去和現(xiàn)在常用的是用額定的大功率電阻，能耗得方式消耗功率；第二種就是采用電子負(fù)載。
    主要是由一個(gè)可控開關(guān)（用雙極型晶體管或MOSFET管）組成的電路，調(diào)節(jié)所需的電流值。MOSFET操作速度快，不會(huì)產(chǎn)生靜態(tài)的功率損耗，最大的優(yōu)勢是在直流信號(hào)上，MOSFET柵極阻抗無窮大，相當(dāng)于開路，理論上不會(huì)有直流從柵極流向電路的接地點(diǎn)，形成完全由柵極電壓控制的電壓控制型器件，比電流控制型雙極型晶體管BJT更加省電，而且更易驅(qū)動(dòng)。因此設(shè)計(jì)的直流電子負(fù)載采用MOSFET為其控制器件。